Grüne Siliciumcarbid- Schleifmittel werden aus hochreinem, großkristallinem Siliciumcarbid-Rohmaterial hergestellt, um eine ausgezeichnete Schneidleistung und einen stabilen physikalischen Zustand des Siliciumcarbid-Schneidmikropulvers zu gewährleisten.
| TYPISCHE CHEMISCHE ANALYSE | |
| SiC | ≥99,05 % |
| SiO2 | ≤0,20 % |
| F,Si | ≤0,03% |
| Fe2O3 | ≤0,10 % |
| FC | ≤0,04 % |
| TYPISCHE PHISIONALE EIGENSCHAFTEN | |
| Härte: | Mohshärte: 9,5 |
| Schmelzpunkt: | Sublim bei 2600 °C |
| Maximale Betriebstemperatur: | 1900℃ |
| Spezifisches Gewicht: | 3,20–3,25 g/cm³ |
| Schüttdichte (LPD): | 1,2–1,6 g/cm³ |
| Farbe: | Grün |
| Partikelform: | Sechseckig |
| Größen: | |
| Mikropulver: JIS:240# 280# 320# 360# 400# 500# 600# 700# 800# 1000# 1200# 1500# 2000# 2500# 3000# 4000# 6000# 8000# 10000# FUTTER: F230 F240 F320 F360 F400 F500 F600 F800 F1000 F1200 F1500 F2000 | |
1. Hervorragende Polierleistung
- Hohe Härte und scharfe Kornform sorgen für eine hervorragende Oberflächengüte auf Siliziumwafern.
- Entfernt effektiv Oberflächenfehler, Kratzer und unebene Schichten.
2. Hohe Schnittleistung
- Hohe Schleifleistung, was die Poliergeschwindigkeit und die Produktionseffizienz erheblich verbessert.
- Stabile Abriebfestigkeit bei geringem Verbrauch.
3. Einheitliche Partikelgröße
- Eine enge Partikelverteilung gewährleistet einen gleichmäßigen Poliereffekt auf allen Wafern.
- Vermeiden Sie übermäßiges Polieren oder lokale Oberflächenbeschädigungen.
4. Gute chemische Stabilität
- Beständig gegen hohe Temperaturen und chemische Korrosion in Poliersuspensionen.
- Geringe chemische Reaktion mit Siliziumsubstraten, keine Kontamination.
5. Geringe Oberflächenbeschädigung
- Feine und gleichmäßige Körner verursachen minimale Schäden an der Oberfläche von Siliziumwafern.
- Ideal für das Präzisionspolieren von Siliziumwafern in Halbleiterqualität.
6. Kosteneffektiv
- Lange Lebensdauer und gleichbleibende Qualität reduzieren die Gesamtproduktionskosten.