Henan Sicheng produziert und verkauft hochwertiges schwarzes Siliziumkarbid, grünes Siliziumkarbid und andere Produkte. Die Produkte werden streng nach den Standards GB, ISO, FEPA AFS und JIS hergestellt und die Qualität ist stabil und zuverlässig.
Hauptgeschäftsfeld: schwarzes Siliziumkarbid, Sandfraktion – Feuerfest und Metallurgie, schwarzer Siliziumkarbid-Grieß, schwarzes Siliziumkarbid-Pulver, grünes Siliziumkarbid, grüner Siliziumkarbid-Grießsand, grüner Siliziumkarbid-Grieß, grünes Siliziumkarbid-Mikropulver.
Alle Mitarbeiter von Sicheng Grinding freuen sich auf die aufrichtige Zusammenarbeit mit Ihnen, um gemeinsam Brillanz zu schaffen.
EMPFOHLENE PRODUKTE
ÜBER UNS
Henan Sicheng Abrasives Tech Co., Ltd. wurde 1999 gegründet und beschäftigt mehr als 80 Mitarbeiter, darunter zehn Fach- und Techniker. Als professioneller Hersteller von Siliziumkarbid sind seine Hauptprodukte Siliziumkarbid und andere verwandte Produkte. Die verkauften Produkte entsprechen den Standards GB, ISO, FEPA AFS und JIS.

Unsere Kunden
Unsere Mission ist es, den Erfolg und die Zufriedenheit unserer Kunden zu unterstützen. Lassen Sie uns gemeinsam eine bessere Zukunft schaffen

Unser Team
Wir verfügen über ein professionelles technisches Serviceteam mit Erfahrung im Kundendienst für Kunden aus verschiedenen Bereichen.

Unser Standard
Die vom Unternehmen verkauften Produkte verfügen über die ISO9001-Zertifizierung für Qualitätssysteme und werden unter strikter Einhaltung der einschlägigen Normen hergestellt und geprüft.
NEUESTE NACHRICHTEN
Siliziumkarbid wird für SiC-Keramikpumpen verwendet
Hochreines grünes Siliciumcarbid-Mikropulver ist der primäre Sinterrohstoff für die Herstellung aller Kernkomponenten von SiC-Keramikpumpen.
Siliziumkarbid wird für Kochgeschirr verwendet
Siliciumcarbid (SiC) ist ein hartes anorganisches Keramikmaterial mit einer Mohs-Härte von bis zu 9,2, ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit, hervorragender chemischer Inertheit und hoher Temperaturbeständigkeit.
Grünes SIC für das Hartmetallstrahlen
Hochreines grünes SiC weist extrem geringe Eisenverunreinigungen auf, wodurch Eisenkontaminationen auf Carbidoberflächen vermieden werden, die andernfalls nachfolgende Beschichtungsschichten beschädigen würden. Es ist chemisch inert gegenüber Wolframcarbid (WC) und Kobaltbindemittel (Co) unter den kurzzeitig hohen Temperaturen beim Strahlen, wodurch Oberflächenentkobaltierung und thermische Versprödung verhindert werden.