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Grünes Siliziumkarbid zum Waferläppen

Einführung von grünem Siliciumcarbid:

Grünes Siliciumcarbid ( grünes SiC , chemische Formel SiC ) ist ein hochreines, synthetisches, kristallines Schleifmittel, das für seine extreme Härte, scharfen Schneidkanten und ausgezeichnete chemische und thermische Stabilität bekannt ist. Es ist die Premium-Qualität unter den SiC-Werkstoffen und wird oft als der „grüne Diamant“ unter den Industrieschleifmitteln bezeichnet.

EigentumGrünes Siliciumcarbid
Chemische FormelSiC
Reinheit98,5–99,5 % SiC (hoher Gehalt ≥ 99,9 %)
Mohs-Härte9,2–9,5 (nahezu diamantartig)
Mikrohärte3200–3600 kg/mm²
Dichte3,22 g/cm³
Wärmeleitfähigkeit80–140 W/m·K (ausgezeichnete Wärmeableitung)
WärmeausdehnungNiedrig
Schmelzpunkt~2700°C
Chemische StabilitätInert gegenüber Wasser, Säuren, Laugen und den meisten Lösungsmitteln
PartikelformScharf, blockig, polyedrisch; gute Selbstschärfung

Vorteile von grünem Siliziumkarbid für das Waferläppen

  1. Überlegene Härte und Schneidleistung
    Mit einer Mohs-Härte von 9,2–9,5 ist grünes Siliciumcarbid deutlich härter als monokristallines Silicium. Es zeichnet sich durch scharfe Partikelkanten und eine ausgezeichnete Selbstschärfungsfähigkeit aus, was eine hohe Materialabtragsrate ermöglicht und somit Oberflächenspuren und beschädigte Schichten auf Wafern effizient entfernt.
  2. Einheitliche Partikelgröße und hervorragende Oberflächenqualität
    Streng abgestuftes Feinpulver zeichnet sich durch eine enge Partikelgrößenverteilung und geringe Agglomeration aus. Es erzeugt feine, flache Kratzer anstelle tiefer Schnitte, Absplitterungen oder Vertiefungen, wodurch Beschädigungen unter der Oberfläche wirksam kontrolliert und gleichbleibende Läppergebnisse gewährleistet werden.
  3. Ausgezeichnete chemische und thermische Stabilität
    Es ist chemisch inert gegenüber Wasser, gängigen Läppsuspensionen und Säure-/Laugenzusätzen und korrodiert daher keine Siliziumwafer. Es behält seine Härte und Partikelform auch unter Reibungswärme bei und leitet die Wärme dank seiner guten Wärmeleitfähigkeit schnell ab, um thermische Verformungen der Wafer zu vermeiden.
  4. Hohe Reinheit für Halbleiteranwendungen
    Im Vergleich zu schwarzem Siliciumcarbid weist es einen geringeren Gehalt an Schwermetallen und Verunreinigungen auf. Es verursacht keine elektrische Kontamination und erfüllt somit die hohen Reinheitsanforderungen für die Halbleiter- und Photovoltaik-Waferproduktion.
  5. Gute Verschleißfestigkeit und Kosteneffizienz
    Geringer Abrieb verlängert die Lebensdauer. Es ist deutlich kostengünstiger als Diamantpulver und bietet gleichzeitig zuverlässige Läppleistung – ideal für die Serienfertigung. Das Pulver suspendiert gut in der Suspension, wodurch die Häufigkeit des Flüssigkeitswechsels reduziert wird.
  6. Mittlere Zähigkeit
    Die ausgewogene Kombination aus Sprödigkeit und Zähigkeit verhindert, dass sich zu viele feine Partikel in die Waferoberfläche einlagern, und vereinfacht so nachfolgende Reinigungsprozesse. Es ist kompatibel mit verschiedenen Läpppads und Anlagen für ein- und doppelseitiges Läppen, Kantenanfasen und andere Verfahren.
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