Grünes Siliziumkarbid wird als Material der Wahl in Hochleistungsindustrieanwendungen eingesetzt. Optimierungen bei Produktion und Rohstoffen haben zur Anwendung von SiC in neuen und wachsenden Branchen wie Photovoltaik, Halbleiter und Filtration geführt.
| TYPISCHE CHEMISCHE ANALYSE | |
| SiC | ≥99,05 % |
| SiO2 | ≤ 0,20 % |
| F, Si | ≤ 0,03 % |
| Fe2O3 | ≤ 0,10 % |
| FC | ≤ 0,04 % |
| TYPISCHE PHISIKALISCHE EIGENSCHAFTEN | |
| Härte: | Mohs: 9,5 |
| Schmelzpunkt: | Erhaben bei 2600 ℃ |
| Maximale Gebrauchstemperatur: | 1900℃ |
| Spezifisches Gewicht: | 3,20-3,25 g/cm³ |
| Schüttdichte (LPD): | 1,2-1,6 g/cm3 |
| Farbe: | Grün |
| Partikelform: | Sechseckig |
| Verfügbare Größe: | |
| Körnung: 4# 5# 6# 8# 10# 12# 14# 16# 20# 22# 24# 30# 36# 40# 46# 54# 60# 70# 80# 10# 12# 14# 16# 20# 22# 24# 30# 36# 40# 46# 54# 60# 70# 80# 90# 100# 120# 150# 180# 220# Mikropulver: IT: 240# 280# 320# 360# 400# 500# 600# 700# 800# 1000# 1200# 1500# 2000# 2500# 3000# 4000# 6000# 8000# 10000# FEPA: F230 F240 F320 F360 F400 F500 F600 F800 F1000 F1200 F1500 F2000 | |
Siliziumkarbid (SiC) ist eine zunehmende Alternative zu siliziumbasierten Elektronikkomponenten, insbesondere bei Anwendungen mit großem Bandabstand. Das Material bietet eine einzigartige Kombination aus höherer Energieeffizienz, kleinerer Größe, geringerem Gewicht und niedrigeren Gesamtkosten der Systeme. Derzeit wächst die Nachfrage nach hochreinen Siliziumkarbidpulvern für die Elektronik- und Halbleiterindustrie.